Pamięć SILICON POWER SODIMM DDR3 8GB 1600MHz 11CL 1.35V SINGLE
Kość pamięci DDR3 SODIMM o pojemności 8 GB, pracująca z częstotliwością 1600 MHz. Przeznaczona do zastosowania w notebookach i dedykowana osobom oczekującym stabilności i wysokiej wydajności. Opóźnienie 11 CL, napięcie 1.35 V.
Cena przesyłki | 0 |
Dostępność | Średnia dostępność 21 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 4712702631258 |
Zamówienie telefoniczne: 5552222222
Świetne parametry
Pamięć RAM firmy Silicon Power typu DDR3 wyposażona w pamięć o pojemności 8 GB, pozwala na stabilną i wydajną pracę systemu podczas pracy nawet z wieloma aplikacjami na raz. Szybką pracę systemu wspomaga taktowanie pamięci wynoszące 1600 MHz.
Funkcjonalność
Złocone styki zapewniają komunikację z płytą główną i innymi podzespołami bez zakłóceń. Natomiast opóźnienie na poziomie 11 CL i możliwe napięcie do 1.35 V umożliwia wydajną i stabilną pracę pamięci.
DDR3
Jest to trzecia generacja standardu pamięci, będąca rozwinięciem standardów DDR i DDR2, stosowanego w komputerach PC i komputerach przenośnych jako pamięć operacyjna. DDR3 charakteryzuje się 90nm technologią wykonania, pozwalającą na zastosowanie niskiego napięcia rzędu 1,5V (w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR). Przekłada się to na 40% niższy pobór prądu oraz większą przepustowość w porównaniu do poprzedniej generacji.
Pozostałe parametry | 512Mx8 |
Gwarancja producenta | Dożywotnia |
Przeznaczenie | Notebook |
Napięcie (V) | 1.35 |
Złącze | SODIMM |
Zamontowane chłodzenie | nie |
Budowa pamięci | Złocone styki |
Pojemność pamięci | 8 GB |
Ilość modułów w zestawie | 1 |
Częstotliwość szyny pamięci (MHz) | 1600 |
Obsługa ECC | nie |
Rodzaj pamięci | DDR3 |
Rodzaj konfiguracji | Pojedyncza kość |
Opóźnienie CAS Latency | 11 CL |